NP74N04YUG-E1-AY厂家价格_数据手册

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	NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.893869 +200：￥5.944435 +500：￥5.747744 +1000：￥5.649399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5mOhm 37.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta), 120W (Tc) 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSON 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 温度： 175°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.980978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5mOhm 37.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta), 120W (Tc) 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSON 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 温度： 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.184793	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5mOhm 37.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta), 120W (Tc) 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSON 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 温度： 175°C (TJ)
NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 供应商器件封装： 8-HSON
NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 供应商器件封装： 8-HSON

Mouser

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	NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5mOhm 37.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 96 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta), 120W (Tc) 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSON 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 温度： 175°C (TJ)

NP74N04YUG-E1-AY参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.5mOhm 37.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	96 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5430 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W (Ta), 120W (Tc)
工作温度:	175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	8-HSON
封装/外壳:	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
温度:	175°C (TJ)