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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NE3513M04-T2B-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
+336:

¥5.154434

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: CEL

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET

频率: 12GHz

增益: 13dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 60mA

噪声系数: 0.65dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 125mW

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 4 个超微型模具

温度:

NE3513M04-T2B-A_null
NE3513M04-T2B-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: N-Channel GaAs HJ-FET

频率: 12GHz

增益: 13dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 60mA

噪声系数: 0.65dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 125mW

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: 4-Super Mini Mold

温度:

Digi-Key
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NE3513M04-T2B-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: N-Channel GaAs HJ-FET

频率: 12GHz

增益: 13dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 60mA

噪声系数: 0.65dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 125mW

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: 4-Super Mini Mold

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品牌: CEL

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET

频率: 12GHz

增益: 13dB

电压 - 测试: 2 V

额定电流(安培): 60mA

噪声系数: 0.65dB

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: 125mW

电压 - 额定: 4 V

封装/外壳: 4-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 4 个超微型模具

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NE3513M04-T2B-A参数规格

属性 参数值
品牌: CEL
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET
频率: 12GHz
增益: 13dB
电压 - 测试: 2 V
额定电流(安培): 60mA
噪声系数: 0.65dB
电流 - 测试: 10 mA
功率 - 输出: 125mW
电压 - 额定: 4 V
封装/外壳: 4-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 4 个超微型模具
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