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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT666 下载数据手册	+1：￥3.988454 +10：￥3.310963 +30：￥2.972217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA，220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT666 下载数据手册	+1：￥2.43216 +100：￥1.801613 +1000：￥1.334534 +2000：￥1.093824 +4000：￥0.968026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA，220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥0.538501 +8000：￥0.52647 +12000：￥0.466312 +28000：￥0.460296 +100000：￥0.38507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA，220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.317315 +8000：￥1.287885 +12000：￥1.140721 +28000：￥1.126006 +100000：￥0.941982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA，220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.000787 +10：￥4.229128 +100：￥2.134566 +500：￥1.891392 +1000：￥1.471908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.000787 +10：￥4.229128 +100：￥2.134566 +500：￥1.891392 +1000：￥1.471908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT666 下载数据手册未分类	+1：￥7.349786 +10：￥5.14485 +100：￥2.319266 +1000：￥1.910946 +4000：￥1.616955	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA，220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道/P沟道, 30/30V, 400/220mA, SOT666 下载数据手册未分类	+5：￥3.136833 +100：￥1.960521 +500：￥1.359297 +1000：￥1.037769 +2000：￥0.930593	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008CBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET, N/P CH, 30/30V, 400/220MA,SOT666 下载数据手册未分类	+5：￥3.254845 +100：￥2.020664 +500：￥1.391472 +1000：￥1.063572 +2000：￥0.957094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NX3008CBKV,115参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA，220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.68nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 15V
功率 - 最大值:	500mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-666
温度:	-55°C # 150°C（TJ）