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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NP80N04NDG-S18-AY_未分类
NP80N04NDG-S18-AY
授权代理品牌

N沟道 耐压:40V 电流:80A

未分类

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¥14.391215

+200:

¥5.572908

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¥5.376217

+1000:

¥5.277871

库存: 1000 +

国内:1~2 天

类型: N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

功率(Pd): 115W;1.8W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@40A,10V

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NP80N04NDG-S18-AY_晶体管-FET,MOSFET-单个
+146:

¥24.368175

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

NP80N04NDG-S18-AY_晶体管-FET,MOSFET-单个
+146:

¥24.368175

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件封装: TO-262

NP80N04NDG-S18-AY参数规格

属性 参数值
类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id): 80A
功率(Pd): 115W;1.8W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@40A,10V