NE3511S02-T1C-A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 NE3511S02-T1C-A 共 5 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NE3511S02-T1C-A Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	NE3511S02-T1C-A 下载数据手册未分类	+1：￥6.020926 +200：￥2.338436 +500：￥2.251018 +1000：￥2.207309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NE3511S02-T1C-A Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+327：￥10.909008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete 晶体管类型： HFET 频率： 12GHz 增益： 13.5dB 电压 - 测试： 2 V 额定电流（安培）： 70mA 噪声系数： 0.3dB 电流 - 测试： 10 mA 功率 - 输出： - 电压 - 额定： 4 V 封装/外壳： 4-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： S02 温度：
	NE3511S02-T1C-A CEL 授权代理品牌	IC AMP RF LNA 13.5DB S02 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： CEL 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产晶体管类型： HFET 频率： 12GHz 增益： 13.5dB 电压 - 测试： 2 V 额定电流（安培）： 70mA 噪声系数： 0.3dB 电流 - 测试： 10 mA 功率 - 输出： - 电压 - 额定： 4 V 封装/外壳： 4-SMD，扁平引线供应商器件封装： S02 温度：
	NE3511S02-T1C-A CEL 授权代理品牌	IC AMP RF LNA 13.5DB S02 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 频率： 12GHz 安装类型： - 电压-额定： 4V 封装/外壳： 4-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： S02
	NE3511S02-T1C-A CEL 授权代理品牌	IC AMP RF LNA 13.5DB S02 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥44.213057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 频率： 12GHz 安装类型： - 电压-额定： 4V 封装/外壳： 4-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： S02

NE3511S02-T1C-A参数规格

属性	参数值