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NP80N04KHE-E1-AZ_晶体管-FET,MOSFET-单个

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NP80N04KHE-E1-AZ_未分类
NP80N04KHE-E1-AZ

NP80N04KHE-E1-AZ - SWITCHINGN-CH

未分类

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Packaging: Bulk

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: 175°C

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-263-3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

Mouser
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NP80N04KHE-E1-AZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
NP80N04KHE-E1-AZ

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NP80N04KHE-E1-AZ参数规格

属性 参数值
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