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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.236455 +200：￥0.091507 +500：￥0.088291 +1000：￥0.086701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2330：￥0.181794 +5000：￥0.145466 +10000：￥0.126539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.415469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册未分类	+15000：￥0.286727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8Ohm @ 200mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 23.6 pF @ 10 V
NX7002BKVL Cypress Semiconductor Corp(赛普拉斯) 授权代理品牌	NX70060N-CHANNTRENMOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥3.441595 +10：￥3.130214 +100：￥1.70441 +500：￥1.048868 +1000：￥0.721098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKVL 授权代理品牌	60 V, N-channel Trench MOSFET 下载数据手册未分类	+10000：￥0.4469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NX7002BKVL参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	270mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23.6 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）