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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.775731 +100：￥0.52393 +800：￥0.384054 +3000：￥0.279873 +6000：￥0.265595	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+10：￥0.498018 +100：￥0.412631 +300：￥0.369939 +3000：￥0.337919 +6000：￥0.312303	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.453573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.774705 +200：￥0.500623 +1500：￥0.434165 +3000：￥0.384806 +45000：￥0.38141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+560：￥0.924019 +1000：￥0.684403 +1500：￥0.595109 +3000：￥0.517421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.401124 +6000：￥0.365602 +9000：￥0.347278 +15000：￥0.326578 +21000：￥0.314258	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.981256 +6000：￥0.894359 +9000：￥0.849534 +15000：￥0.798896 +21000：￥0.768758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.671673 +10：￥2.493677 +100：￥1.669081 +500：￥1.281109 +1000：￥1.150765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP
	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.671673 +10：￥2.493677 +100：￥1.669081 +500：￥1.281109 +1000：￥1.150765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP

Mouser

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	NX3020NAKS,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP 下载数据手册晶体管	+1：￥6.464944 +10：￥4.757536 +100：￥1.790294 +1000：￥1.375873 +3000：￥1.011185	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.44nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 功率 - 最大值： 375mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： 6-TSSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NX3020NAKS,115参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.44nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13pF 10V
功率 - 最大值:	375mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	6-TSSOP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）