NP80N055KLE-E1-AY厂家价格_数据手册

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	NP80N055KLE-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.758408 +200：￥17.068396 +500：￥16.48925 +1000：￥16.216069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），120W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）

自营国内现货

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	NP80N055KLE-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨电子) 授权代理品牌	NP80N055KLE-E1-AY - SWITCHINGN-C 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+135：￥16.139411	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），120W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）
	NP80N055KLE-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），120W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）

Digi-Key

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	NP80N055KLE-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），120W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）
	NP80N055KLE-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨电子) 授权代理品牌	NP80N055KLE-E1-AY - SWITCHINGN-C 下载数据手册未分类	+135：￥27.888848	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 175°C Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11mOhm @ 40A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4400 pF @ 25 V

Mouser

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	NP80N055KLE-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），120W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）

NP80N055KLE-E1-AY参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	75 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta），120W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	175°C（TJ）