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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+2000：￥0.951786 +4000：￥0.6897 +20000：￥0.62073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册未分类	+5：￥1.122449 +50：￥0.905761 +150：￥0.81277 +500：￥0.696832 +2500：￥0.645255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.152879	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册	+1：￥2.293056 +100：￥1.528704 +1000：￥1.175904 +2000：￥0.99648 +4000：￥0.881856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥0.517417 +8000：￥0.505853 +12000：￥0.448031 +28000：￥0.442249 +100000：￥0.370001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.265738 +8000：￥1.237449 +12000：￥1.096001 +28000：￥1.081857 +100000：￥0.905119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 46pF 15V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.715035 +10：￥4.071963 +100：￥2.05027 +500：￥1.817097 +1000：￥1.414186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666
	NX3008PBKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.715035 +10：￥4.071963 +100：￥2.05027 +500：￥1.817097 +1000：￥1.414186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666
	NX3008PBKV,115 NXP(恩智浦) 授权代理品牌	NEXPERIA NX3008PBKV - 30 V, 220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Technology： - FET Feature： - Part Status： Active
	NX3008PBKV,115 NXP(恩智浦) 授权代理品牌	NX3008PBKV - 30 V, 220 MA DUAL P 下载数据手册未分类	+1：￥13.833011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 500mW Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 46pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.72nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1.1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-666 Part Status： Active

NX3008PBKV,115参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.1 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.72nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	46pF 15V
功率 - 最大值:	500mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-666
温度:	-55°C # 150°C（TJ）