品牌： MACOM Technology Solutions

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： HEMT

频率： 0Hz # 3GHz

增益： 14dB

电压 - 测试： 28 V

额定电流（安培）： 5A

噪声系数： -

电流 - 测试： 200 mA

功率 - 输出： 1.5W

电压 - 额定： 100 V

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）裸露焊盘

供应商器件封装： 8-SOIC

温度：

品牌： MACOM

包装： *

封装/外壳： SOIC-8

系列：

产品种类： 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

晶体管类型： HEMT

技术： GaN

工作频率： DC to 3 GHz

增益： 14 dB

晶体管极性： N-Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 5 A

Pd-功率耗散： 28 W

安装风格： SMD/SMT

商标： MACOM

产品类型： RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻： 450 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压： - 1.8 V

温度： - 40 C~+ 85 C