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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NE651R479A-T1-A_晶体管-FET,MOSFET-射频

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: HFET

频率: 1.9GHz

增益: 12dB

电压 - 测试: 3.5 V

额定电流(安培): 1A

噪声系数: -

电流 - 测试: 50 mA

功率 - 输出: 27dBm

电压 - 额定: 8 V

封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: 79A

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NE651R479A-T1-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: CEL

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: HFET

频率: 1.9GHz

增益: 12dB

电压 - 测试: 3.5 V

额定电流(安培): 1A

噪声系数: -

电流 - 测试: 50 mA

功率 - 输出: 27dBm

电压 - 额定: 8 V

封装/外壳: 4-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 79A

温度:

NE651R479A-T1-A_晶体管-FET,MOSFET-射频
+49:

¥72.821174

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: HFET

频率: 1.9GHz

增益: 12dB

电压 - 测试: 3.5 V

额定电流(安培): 1A

噪声系数: -

电流 - 测试: 50 mA

功率 - 输出: 27dBm

电压 - 额定: 8 V

封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: 79A

温度:

NE651R479A-T1-A参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
晶体管类型: HFET
频率: 1.9GHz
增益: 12dB
电压 - 测试: 3.5 V
额定电流(安培): 1A
噪声系数: -
电流 - 测试: 50 mA
功率 - 输出: 27dBm
电压 - 额定: 8 V
封装/外壳: 4-SMD, Flat Leads
供应商器件封装: 79A
温度: