锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NX7002BKSX11 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+20:

¥0.758791

+100:

¥0.56749

+800:

¥0.439956

+3000:

¥0.318835

+15000:

¥0.287012

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_未分类
NX7002BKSX
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP

未分类

+1:

¥0.35897

+10:

¥0.350889

+30:

¥0.345503

+100:

¥0.340116

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_晶体管-FET,MOSFET-单个
NX7002BKSX
授权代理品牌
+1:

¥0.352473

+100:

¥0.326337

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_未分类
NX7002BKSX
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP

未分类

+1:

¥2.090906

+100:

¥1.441964

+1000:

¥1.068219

+1500:

¥0.834444

+3000:

¥0.684039

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_null
NX7002BKSX
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP

+1:

¥1.389312

+100:

¥0.926208

+1000:

¥0.712512

+1500:

¥0.630576

+3000:

¥0.558

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥0.416565

+6000:

¥0.362216

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.019028

+6000:

¥0.886076

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NX7002BKSX_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥5.853277

+10:

¥4.766238

+100:

¥2.52527

+500:

¥1.661495

+1000:

¥1.129683

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: 6-TSSOP

NX7002BKSX_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥5.853277

+10:

¥4.766238

+100:

¥2.52527

+500:

¥1.661495

+1000:

¥1.129683

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: 6-TSSOP

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX7002BKSX_未分类
NX7002BKSX
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP

未分类

+1:

¥5.822212

+10:

¥4.856577

+100:

¥2.584494

+500:

¥1.704062

+1000:

¥1.164442

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-TSSOP

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NX7002BKSX参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-TSSOP
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
温度: -55°C # 150°C(TJ)