锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NXPSC08650BJ3 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650BJ_二极管整流器

DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650BJ_二极管整流器

DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650BJ_未分类
NXPSC08650BJ

DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK

未分类

+3200:

¥18.374424

+5600:

¥17.813372

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

NXPSC08650BJ参数规格

属性 参数值
品牌: WeEn Semiconductors
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
工作温度 - 结: 175°C(最大)
温度: