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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+20：￥3.333024 +100：￥2.714976 +300：￥2.235888 +1000：￥1.820736 +4000：￥1.388736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.157981 +10：￥2.546054 +30：￥2.283799 +100：￥1.955981 +500：￥1.813927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.590601 +100：￥0.53603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册未分类	+1：￥15.466776 +30：￥13.452391 +100：￥12.949006 +500：￥12.463432 +2000：￥12.232714	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.085158 +200：￥0.748867 +2000：￥0.681379 +4000：￥0.636346 +60000：￥0.630096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+720：￥1.766189 +1000：￥1.308269 +2000：￥1.072397 +4000：￥0.949018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥0.660491 +8000：￥0.645731 +12000：￥0.571937 +28000：￥0.564558 +100000：￥0.47228	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.141325 +8000：￥1.115821 +12000：￥0.988307 +28000：￥0.975554 +100000：￥0.816098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V，50V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 330mA，170mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36pF 25V 功率 - 最大值： 500mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.176358 +10：￥3.661327 +100：￥1.848338 +500：￥1.638508 +1000：￥1.275151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666
	NX1029X,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.176358 +10：￥3.661327 +100：￥1.848338 +500：￥1.638508 +1000：￥1.275151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666

NX1029X,115参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	330mA，170mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.35nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	36pF 25V
功率 - 最大值:	500mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-666
温度:	-55°C # 150°C（TJ）