锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NP161N04TUG-E1-AY3 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NP161N04TUG-E1-AY_未分类
NP161N04TUG-E1-AY
+1:

¥27.755266

+200:

¥10.741506

+500:

¥10.369979

+800:

¥10.184216

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NP161N04TUG-E1-AY_晶体管-FET,MOSFET-单个
+71:

¥17.133188

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8mOhm 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 345 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20.25 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.8W (Ta), 250W (Tc)

工作温度: 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-263-7

封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

温度: 175°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NP161N04TUG-E1-AY_晶体管-FET,MOSFET-单个
+71:

¥41.912317

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8mOhm 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 345 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20.25 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.8W (Ta), 250W (Tc)

工作温度: 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-263-7

封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

温度: 175°C (TJ)

NP161N04TUG-E1-AY参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8mOhm 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 345 nC 10 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20.25 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
工作温度: 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
温度: 175°C (TJ)