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NX7002BKWX_晶体管-FET,MOSFET-单个
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国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NX7002BKWX_未分类
NX7002BKWX
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MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323

未分类

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品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

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NX7002BKWX_晶体管-FET,MOSFET-单个
NX7002BKWX
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品牌: Nexperia USA Inc.

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

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安装类型: 表面贴装型

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NX7002BKWX
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MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

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功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

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功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

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NX7002BKWX
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技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

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漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

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功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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NX7002BKWX参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23.6 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310mW(Ta),1.67W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70,SOT-323
温度: -55°C # 150°C(TJ)