NX138AKR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 NX138AKR 共 9 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册未分类	+10：￥0.37456 +100：￥0.309035 +300：￥0.276273 +3000：￥0.251702	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 325mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册	+1：￥0.548496 +100：￥0.365616 +1000：￥0.281232 +1500：￥0.248832 +3000：￥0.220176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 325mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.253125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 325mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.437399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 325mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.485894 +10：￥2.047903 +100：￥1.084324 +500：￥0.713096 +1000：￥0.484987	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.485894 +10：￥2.047903 +100：￥1.084324 +500：￥0.713096 +1000：￥0.484987	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册未分类	+15000：￥0.236752	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.5Ohm @ 190mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 325mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-236AB Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 20 pF @ 30 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX138AKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥2.857149 +10：￥2.353748 +100：￥1.251704 +500：￥0.829934 +1000：￥0.557825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 325mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX138AKR 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.378482	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NX138AKR参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 欧姆 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	325mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）