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	NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOS场效应管 NX7002AKW,115 AH SC-70(SOT-323) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.353078 +100：￥0.264022 +800：￥0.204732 +3000：￥0.148346 +6000：￥0.140965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.228932 +100：￥0.207515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX7002AKW,115 NXP(恩智浦) 授权代理品牌	NX7002AKW,115 NXP SEMICONDUCTORS 下载数据手册未分类	+1：￥0.131434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+2：￥0.214277 +100：￥0.183606 +300：￥0.160734 +1000：￥0.135333 +5000：￥0.128587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+1：￥0.707123 +30：￥0.229875 +100：￥0.18993 +500：￥0.179284 +1500：￥0.172644	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+3000：￥0.285317 +12000：￥0.273405 +45000：￥0.262233 +75000：￥0.257913 +150000：￥0.245053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+3000：￥0.313383 +6000：￥0.304669 +12000：￥0.296178 +18000：￥0.287575 +24000：￥0.278972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.982708 +200：￥0.327608 +1500：￥0.205016 +3000：￥0.14123 +45000：￥0.140073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.19969 +3000：￥0.146556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.234944 +6000：￥0.204295	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NX7002AKW,115参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.43 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	17 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	220mW（Ta），1.06W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX7002AKW,115 NXP(恩智浦) 授权代理品牌	NX7002AKW,115 NXP SEMICONDUCTORS 下载数据手册未分类	+1：￥0.131434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+2：￥0.214277 +100：￥0.183606 +300：￥0.160734 +1000：￥0.135333 +5000：￥0.128587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+1：￥0.707123 +30：￥0.229875 +100：￥0.18993 +500：￥0.179284 +1500：￥0.172644	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+3000：￥0.285317 +12000：￥0.273405 +45000：￥0.262233 +75000：￥0.257913 +150000：￥0.245053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册未分类	+3000：￥0.313383 +6000：￥0.304669 +12000：￥0.296178 +18000：￥0.287575 +24000：￥0.278972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.982708 +200：￥0.327608 +1500：￥0.205016 +3000：￥0.14123 +45000：￥0.140073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002AKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.19969 +3000：￥0.146556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.43 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 17 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220mW（Ta），1.06W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）