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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTP125N02R ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET PWR N-CH 125A 24V TO220AB 下载数据手册	+758：￥1.966385	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 24 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3440 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），113.6W（Tc）工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTP125N02R Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+758：￥3.397907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 24 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3440 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.98W（Ta），113.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTP125N02R ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 24V 125A N-Channel 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

NTP125N02R参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.6 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	28 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3440 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.98W（Ta），113.6W（Tc）
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）