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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSB8JT-E3/81_二极管整流器
NSB8JT-E3/81
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥14.560172

+10:

¥9.706741

+30:

¥8.088971

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

自营 现货库存
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NSB8JT-E3/81_null
NSB8JT-E3/81
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

+1:

¥10.730579

+10:

¥10.490179

+30:

¥10.337197

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

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NSB8JT-E3/81_二极管整流器
NSB8JT-E3/81
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

自营 国内现货
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NSB8JT-E3/81_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥5.63625

+10:

¥5.48775

+30:

¥4.31325

+100:

¥4.239

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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NSB8JT-E3/81_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥13.787761

+10:

¥13.42449

+30:

¥10.551352

+100:

¥10.369717

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

NSB8JT-E3/81_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥13.787761

+10:

¥13.42449

+30:

¥10.551352

+100:

¥10.369717

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB

NSB8JT-E3/81_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥13.787761

+10:

¥13.42449

+30:

¥10.551352

+100:

¥10.369717

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSB8JT-E3/81_二极管与整流器
NSB8JT-E3/81
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

二极管与整流器

+1:

¥14.6166

+10:

¥13.100299

+100:

¥10.21796

+500:

¥8.442111

+800:

¥6.898489

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

艾睿
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NSB8JT-E3/81_未分类
NSB8JT-E3/81
授权代理品牌

Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

未分类

+800:

¥6.540619

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NSB8JT-E3/81参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: