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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSB8MT-E3/81_二极管整流器
NSB8MT-E3/81
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥10.228614

+10:

¥8.694334

+30:

¥7.160054

+100:

¥5.881447

+500:

¥5.114307

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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NSB8MT-E3/81_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

二极管整流器

+800:

¥9.078562

+1600:

¥7.254207

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

NSB8MT-E3/81_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

二极管整流器

+1:

¥14.309219

+10:

¥12.807459

+25:

¥12.16142

+100:

¥9.122481

+250:

¥9.034926

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB

NSB8MT-E3/81_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB

Mouser
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NSB8MT-E3/81_二极管与整流器
NSB8MT-E3/81
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

二极管与整流器

+1:

¥16.659517

+10:

¥13.654271

+100:

¥10.632692

+500:

¥9.293398

+800:

¥7.333455

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

艾睿
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NSB8MT-E3/81_未分类
NSB8MT-E3/81
授权代理品牌

Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

未分类

+800:

¥5.971031

+2400:

¥5.642638

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NSB8MT-E3/81参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 8 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 55pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: