品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 33 V

容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 33 V

容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 33 V

容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 33 V

容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 33 V

容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 33 V

容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

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封装/外壳： *

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零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 33 V

容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

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容差： -

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 25 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C