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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KDZVTR5.1B_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 5.1V 1W PMDU

稳压二极管

+1:

¥0.6615

+50:

¥0.55125

+150:

¥0.441

+500:

¥0.407925

+1000:

¥0.385875

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

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KDZVTR5.1B_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 5.1V 1W PMDU

稳压二极管

+20:

¥1.135343

+100:

¥0.767745

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¥0.563618

+3000:

¥0.408375

+6000:

¥0.387926

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

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KDZVTR5.1B_稳压二极管
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DIODE ZENER 5.1V 1W PMDU

稳压二极管

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¥0.758912

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KDZVTR5.1B_稳压二极管
KDZVTR5.1B
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DIODE ZENER 5.1V 1W PMDU

稳压二极管

+3000:

¥0.388847

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

KDZVTR5.1B_稳压二极管
KDZVTR5.1B
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DIODE ZENER 5.1V 1W PMDU

稳压二极管

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¥3.314396

+100:

¥1.915753

+1500:

¥1.214696

+3000:

¥0.878175

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

KDZVTR5.1B_稳压二极管
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稳压二极管

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¥0.745511

+50:

¥0.505535

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¥0.454252

+3000:

¥0.410031

+18000:

¥0.406327

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

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+3000:

¥0.661152

+9000:

¥0.634034

+15000:

¥0.623236

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

KDZVTR5.1B_稳压二极管
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DIODE ZENER 5.1V 1W PMDU

稳压二极管

+154:

¥1.880505

+500:

¥1.373597

+1000:

¥1.319237

+2000:

¥1.220825

+4000:

¥1.19886

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

KDZVTR5.1B_稳压二极管
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稳压二极管

+5:

¥2.911008

+100:

¥1.976217

+500:

¥1.482194

+1000:

¥1.109651

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

自营 国内现货
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稳压二极管

+3000:

¥0.598403

+6000:

¥0.56211

+15000:

¥0.528146

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: PMDU

温度: 150°C

KDZVTR5.1B参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V
容差: -
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: PMDU
温度: 150°C