品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2.7 V

容差： ±7.41%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2.7 V

容差： ±7.41%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2.7 V

容差： ±7.41%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2.7 V

容差： ±7.41%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2.7 V

容差： ±7.41%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2.7 V

容差： ±7.41%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2.7 V

容差： ±7.41%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： PMDU

温度： 150°C（TJ）