品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）共源

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 5.5V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tj）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 5V

功率 - 最大值： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 20-UFLGA，CSP

供应商器件封装： 20-WLCSP（2.48x1.17）

温度： -55°C # 150°C（TJ）