品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 5.5 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 12A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 3.5 V

Vgs（最大值）： ±5.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 940 pF 5.5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WLCSP（1.47x1.47）

封装/外壳： 6-SMD，无引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）