JAN2N3501厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN2N3501 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS NPN 150V 0.3A 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥256.88919 +200：￥102.50872 +500：￥99.077557 +1000：￥97.38383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/366 零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN2N3501 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS NPN 150V 0.3A 下载数据手册未分类	+1：￥147.935027	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/366 零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN2N3501 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 150V 0.3A 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥167.721274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/366 零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	Jan2N3501 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS NPN 150V 0.3A 下载数据手册未分类	+1：￥213.244832 +100：￥198.19412	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/366 零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

JAN2N3501参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/366
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	300 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	400mV 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 150mA，10V
功率 - 最大值:	1 W
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	-65°C # 200°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装:	TO-39（TO-205AD）
温度:	-65°C # 200°C（TJ）