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自营 现货库存
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JANTX2N2219AL_双极性晶体管
JANTX2N2219AL
授权代理品牌
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¥124.84406

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¥122.713242

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/251

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -55°C # 200°C(TJ)

自营 国内现货
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JANTX2N2219AL_双极性晶体管
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/251

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -55°C # 200°C(TJ)

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JANTX2N2219AL_双极性晶体管
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货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/251

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -55°C # 200°C(TJ)

Mouser
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Jantx2N2219AL_未分类
Jantx2N2219AL
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.8A TO39

未分类

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¥253.168828

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货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/251

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -55°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -55°C # 200°C(TJ)

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JANTX2N2219AL_未分类
JANTX2N2219AL
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货期:7~10 天

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JANTX2N2219AL参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/251
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V
功率 - 最大值: 800 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: -55°C # 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐
供应商器件封装: TO-39
温度: -55°C # 200°C(TJ)