品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/540

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 16mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 750 4A，3V

功率 - 最大值： 64 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-213AA，TO-66-2

供应商器件封装： -

温度： -65°C # 175°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/540

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 16mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 750 4A，3V

功率 - 最大值： 64 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-213AA，TO-66-2

供应商器件封装： -

温度： -65°C # 175°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/540

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 16mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 750 4A，3V

功率 - 最大值： 64 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-213AA，TO-66-2

供应商器件封装： -

温度： -65°C # 175°C（TJ）