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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANSR2N3700UB_双极性晶体管
JANSR2N3700UB
授权代理品牌
+1:

¥774.306352

+200:

¥308.957632

+500:

¥298.631362

+1000:

¥293.528327

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/391

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 500mA,10V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-SMD,无引线

供应商器件封装: UB

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Digi-Key
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JANSR2N3700UB_双极性晶体管
+100:

¥576.302653

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/391

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 500mA,10V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-SMD,无引线

供应商器件封装: UB

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANSR2N3700UB_未分类
JANSR2N3700UB
授权代理品牌

TRANS NPN 80V 1A UB

未分类

+1:

¥938.42593

+10:

¥848.878306

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¥651.541877

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/391

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 500mA,10V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-SMD,无引线

供应商器件封装: UB

温度: -65°C # 200°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANSR2N3700UB_未分类
JANSR2N3700UB
授权代理品牌

NPN Bipolar junction transistor

未分类

+50:

¥1092.610793

+100:

¥1028.321212

+500:

¥990.090757

+1000:

¥957.633881

+2500:

¥944.058168

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANSR2N3700UB_未分类
JANSR2N3700UB
授权代理品牌

Bipolar Transistors - BJT MIL-PRF-19500/391

未分类

+1:

¥402.494991

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

JANSR2N3700UB参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/391
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 500mA,10V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C # 200°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-SMD,无引线
供应商器件封装: UB
温度: -65°C # 200°C(TJ)