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JAN2N6058_双极性晶体管
JAN2N6058
授权代理品牌

TRANS NPN DARL 80V 12A TO3

双极性晶体管

+1:

¥906.755792

+200:

¥361.80191

+500:

¥349.716349

+1000:

¥343.739132

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/502

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 3V 120mA,12A

电流 - 集电极截止(最大值): 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 6A,3V

功率 - 最大值: 150 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-3

供应商器件封装: TO-3(TO-204AA)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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JAN2N6058_双极性晶体管

TRANS NPN DARL 80V 12A TO3

双极性晶体管

+100:

¥734.586144

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/502

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 3V 120mA,12A

电流 - 集电极截止(最大值): 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 6A,3V

功率 - 最大值: 150 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-3

供应商器件封装: TO-3(TO-204AA)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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Jan2N6058_未分类
Jan2N6058
授权代理品牌

TRANS NPN DARL 80V 12A TO3

未分类

+100:

¥835.752427

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/502

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 3V 120mA,12A

电流 - 集电极截止(最大值): 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 6A,3V

功率 - 最大值: 150 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-3

供应商器件封装: TO-3(TO-204AA)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

JAN2N6058参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/502
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 3V 120mA,12A
电流 - 集电极截止(最大值): 1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 6A,3V
功率 - 最大值: 150 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3
供应商器件封装: TO-3(TO-204AA)
温度: -55°C # 175°C(TJ)