品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/518

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 500mA，5V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-213AA，TO-66-2

供应商器件封装： TO-66（TO-213AA）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-213AA, TO-66-2

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 2.5V @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 500µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 500mA, 5V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-66

Part Status： Discontinued at Digi-Key

Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V

Power - Max： 25 W

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/518

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 500mA，5V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-213AA，TO-66-2

供应商器件封装： TO-66（TO-213AA）

温度： -65°C # 200°C（TJ）