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JANTXV2N3868S_双极性晶体管
JANTXV2N3868S
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 0.003A TO39

双极性晶体管

+1:

¥599.284269

+200:

¥239.121449

+500:

¥231.133615

+1000:

¥227.188871

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/350

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 250mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 1.5A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Digi-Key
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JANTXV2N3868S_双极性晶体管

TRANS PNP 60V 0.003A TO39

双极性晶体管

+100:

¥430.360193

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/350

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 250mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 1.5A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Mouser
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Jantxv2N3868S_晶体管
Jantxv2N3868S
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 0.003A TO39

晶体管

+100:

¥496.291752

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/350

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 250mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 1.5A,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

JANTXV2N3868S参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/350
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 250mA,2.5A
电流 - 集电极截止(最大值): 100µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 1.5A,2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C # 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐
供应商器件封装: TO-39(TO-205AD)
温度: -65°C # 200°C(TJ)