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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN2N3868S Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 0.003A TO39 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥464.354339 +200：￥185.28279 +500：￥179.087028 +1000：￥176.03832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/350 零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 250mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 1.5A，2V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN2N3868S Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 0.003A TO39 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥115.7625 +10：￥92.61 +30：￥75.245625 +100：￥69.4575 +600：￥63.669375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/350 零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 250mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 1.5A，2V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN2N3868S Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 0.003A TO39 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥333.427212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/350 零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 250mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 1.5A，2V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	Jan2N3868S Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 0.003A TO39 下载数据手册晶体管	+100：￥384.547081	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/350 零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 250mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 1.5A，2V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN2N3868S 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag 下载数据手册未分类	+100：￥381.817479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

JAN2N3868S参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/350
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	3 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	1.5V 250mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 1.5A，2V
功率 - 最大值:	1 W
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	-65°C # 200°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装:	TO-39（TO-205AD）
温度:	-65°C # 200°C（TJ）