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JAN2N918UB_双极性晶体管
JAN2N918UB
授权代理品牌

TRANS NPN 15V 0.05A TO72

双极性晶体管

+1:

¥418.164768

+200:

¥166.859413

+500:

¥161.275578

+1000:

¥158.521906

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/301

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 3mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,非标准型

供应商器件封装: -

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Digi-Key
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JAN2N918UB_双极性晶体管

TRANS NPN 15V 0.05A TO72

双极性晶体管

+100:

¥292.097372

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/301

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 3mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,非标准型

供应商器件封装: -

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Mouser
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JAN2N918UB_未分类
JAN2N918UB
授权代理品牌

TRANS NPN 15V 0.05A TO72

未分类

+100:

¥334.841345

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/301

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 3mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,非标准型

供应商器件封装: -

温度: -65°C # 200°C(TJ)

JAN2N918UB参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/301
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 15 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 3mA,1V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C # 200°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-SMD,非标准型
供应商器件封装: -
温度: -65°C # 200°C(TJ)