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自营 国内现货
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JANS1N5806US_二极管整流器

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

二极管整流器

+1:

¥129.970203

+100:

¥129.688198

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANS1N5806US_二极管整流器

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

二极管整流器

+1:

¥224.588076

+100:

¥224.100774

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Mouser
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JANS1N5806US_未分类
JANS1N5806US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

未分类

+1:

¥285.545376

+100:

¥265.160741

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANS1N5806US_未分类
JANS1N5806US
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 150V 2.5A 25ns 2-Pin SMD

未分类

+1:

¥29982.885829

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
JANS1N5806US_未分类
JANS1N5806US
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 150V 2.5A 25ns 2-Pin MELF-A

未分类

+1:

¥219.791772

+10:

¥217.565039

+25:

¥215.469288

+50:

¥213.242554

+100:

¥205.121523

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

JANS1N5806US参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/477
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V
不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,A
供应商器件封装: D-5A
工作温度 - 结: -65°C # 175°C
温度: