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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5811URS_二极管整流器
JANTX1N5811URS
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

二极管整流器

+1:

¥335.532753

+200:

¥133.880912

+500:

¥129.411659

+1000:

¥127.193423

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 4 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 60pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,B

供应商器件封装: B,SQ-MELF

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5811URS_二极管整流器

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

二极管整流器

+100:

¥245.733858

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 4 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 60pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,B

供应商器件封装: B,SQ-MELF

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Mouser
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JANTX1N5811URS_null
JANTX1N5811URS
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

+100:

¥278.651994

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 4 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 60pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,B

供应商器件封装: B,SQ-MELF

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

JANTX1N5811URS参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/477
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 4 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 150 V
不同 Vr、F 时电容: 60pF 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,B
供应商器件封装: B,SQ-MELF
工作温度 - 结: -65°C # 175°C
温度: