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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANS1N5615 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 下载数据手册二极管整流器	+1：￥867.05702 +200：￥345.968295 +500：￥334.407244 +1000：￥328.692282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/429 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 150 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 12V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： A，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANS1N5615 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 下载数据手册二极管整流器	+50：￥649.446693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/429 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 150 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 12V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： A，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANS1N5615 Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	D MET 1A FAST 200V HR 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 150 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 27pF 5V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳：轴向供应商器件封装：轴向工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANS1N5615 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 下载数据手册未分类	+1：￥742.411846 +100：￥689.46414	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/429 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 150 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 12V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： A，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANS1N5615 Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	D MET 1A FAST 200V HR 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 150 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 27pF 5V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳：轴向供应商器件封装：轴向工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

JANS1N5615参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/429
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.6 V 3 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	150 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	500 nA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	45pF 12V，1MHz
安装类型:	通孔
封装/外壳:	A，轴向
供应商器件封装:	-
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: