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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A 下载数据手册二极管整流器	+1：￥171.885957 +200：￥68.590474 +500：￥66.295747 +1000：￥65.159311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/427 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，A 供应商器件封装： D-5A 工作温度 - 结： -65°C # 200°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A 下载数据手册二极管整流器	+1：￥70.50573 +25：￥66.084876 +100：￥62.447734 +250：￥60.045893 +500：￥58.844973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/427 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，A 供应商器件封装： D-5A 工作温度 - 结： -65°C # 200°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A 下载数据手册二极管整流器	+1：￥72.113587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/427 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，A 供应商器件封装： D-5A 工作温度 - 结： -65°C # 200°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A 下载数据手册二极管整流器	+100：￥46.024296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/427 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，A 供应商器件封装： D-5A 工作温度 - 结： -65°C # 200°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A 下载数据手册二极管整流器	+100：￥120.554777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/427 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，A 供应商器件封装： D-5A 工作温度 - 结： -65°C # 200°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A 下载数据手册未分类	+1：￥140.622934 +100：￥130.673199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/427 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 600 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，A 供应商器件封装： D-5A 工作温度 - 结： -65°C # 200°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US Sensitron Semiconductors 授权代理品牌	Diode Switching 600V 1A 2-Pin MELF-1 下载数据手册未分类	+500：￥125.369744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	JANTX1N5618US 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag 下载数据手册未分类	+100：￥112.338752 +250：￥111.225073 +500：￥110.111397 +1000：￥103.943329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5618US MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥91.257514 +25：￥88.125102 +50：￥86.767728 +100：￥85.514764 +250：￥84.157385	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

JANTX1N5618US参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/427
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	600 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.3 V 3 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	500 nA 600 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SQ-MELF，A
供应商器件封装:	D-5A
工作温度 - 结:	-65°C # 200°C
温度: