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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5809US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF 下载数据手册未分类	+1：￥122.310141 +10：￥121.77186 +100：￥102.822421 +500：￥98.192622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5809US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF 下载数据手册二极管整流器	+1：￥124.377905 +100：￥115.504697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANTX1N5809US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 6A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SQ-MELF Mounting Type： Surface Mount Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 30 ns Capacitance @ Vr, F： 60pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 6A Supplier Device Package： - Operating Temperature - Junction： - Part Status： Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5809US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 6A 下载数据手册未分类	+1：￥134.818922 +100：￥125.200844	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SQ-MELF Mounting Type： Surface Mount Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 30 ns Capacitance @ Vr, F： 60pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 6A Supplier Device Package： - Operating Temperature - Junction： - Part Status： Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 100 V
	JANTX1N5809US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 6A 下载数据手册二极管与整流器	+：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SQ-MELF Mounting Type： Surface Mount Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 30 ns Capacitance @ Vr, F： 60pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 6A Supplier Device Package： - Operating Temperature - Junction： - Part Status： Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 100 V

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5809US 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin MELF-B 下载数据手册未分类	+500：￥105.766123 +1000：￥104.463554	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

JANTX1N5809US参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/477
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	100 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	875 mV 4 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 100 V
不同 Vr、F 时电容:	60pF 10V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SQ-MELF，B
供应商器件封装:	B，SQ-MELF
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: