锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 JANTX1N5617US4 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5617US_二极管整流器
JANTX1N5617US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

二极管整流器

+1:

¥140.666747

+200:

¥56.133386

+500:

¥54.253896

+1000:

¥53.325078

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/429

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 3 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 150 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 35pF 12V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5617US_二极管整流器

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

二极管整流器

+1:

¥113.443448

+100:

¥105.299523

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/429

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 3 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 150 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 35pF 12V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5617US_null
JANTX1N5617US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

+1:

¥129.682905

+100:

¥120.373176

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/429

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 3 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 150 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 35pF 12V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5617US_未分类
JANTX1N5617US
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin MELF-1

未分类

+500:

¥101.767719

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

JANTX1N5617US参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/429
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 150 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 400 V
不同 Vr、F 时电容: 35pF 12V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,A
供应商器件封装: D-5A
工作温度 - 结: -65°C # 175°C
温度: