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JANTX1N5806US/TR_二极管整流器
JANTX1N5806US/TR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

二极管整流器

+1:

¥123.871533

+212:

¥49.424042

+530:

¥47.774024

+954:

¥46.965406

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 975 mV 2.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5806US/TR_二极管整流器

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

二极管整流器

+106:

¥80.022361

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 975 mV 2.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5806US/TR_未分类
JANTX1N5806US/TR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

未分类

+1:

¥110.741558

+106:

¥104.879702

+424:

¥102.82013

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/477

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 975 mV 2.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,A

供应商器件封装: D-5A

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTX1N5806US/TR_未分类
JANTX1N5806US/TR
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 150V 2.5A 25ns 2-Pin A-MELF T/R

未分类

+106:

¥100.798074

+324:

¥99.869995

+648:

¥98.927414

+972:

¥97.999335

+1296:

¥97.056755

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

JANTX1N5806US/TR参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/477
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 975 mV 2.5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 150 V
不同 Vr、F 时电容: 25pF 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,A
供应商器件封装: D-5A
工作温度 - 结: -65°C # 175°C
温度: