JAN1N5550厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 JAN1N5550 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN1N5550 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 下载数据手册未分类	+130：￥75.092788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： B，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN1N5550 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 下载数据手册二极管整流器	+130：￥33.071085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： B，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN1N5550 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 下载数据手册二极管整流器	+130：￥80.900637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： B，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JAN1N5550 Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	D MET 3A STD 200V 下载数据手册其他	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 92pF 5V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳：轴向供应商器件封装：轴向工作温度 - 结： - 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN1N5550 Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	D MET 3A STD 200V 下载数据手册未分类	+1：￥143.851237 +10：￥129.934731 +100：￥107.497913 +500：￥93.581407 +1000：￥84.493076	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 92pF 5V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳：轴向供应商器件封装：轴向工作温度 - 结： - 温度：
	JAN1N5550 Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	D MET 3A STD 200V 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 92pF 5V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳：轴向供应商器件封装：轴向工作温度 - 结： - 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JAN1N5550 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 200V 3A 2000ns 2-Pin Case 301 下载数据手册未分类	+1000：￥66.998538 +2000：￥66.327908 +2500：￥65.670174 +3000：￥65.012441 +4000：￥64.354707	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

JAN1N5550参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/420
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.2 V 9 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	1 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	通孔
封装/外壳:	B，轴向
供应商器件封装:	-
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: