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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTXV1N5551US_二极管整流器
JANTXV1N5551US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B

二极管整流器

+1:

¥263.194225

+200:

¥105.021992

+500:

¥101.514338

+1000:

¥99.776902

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/420

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 9 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,B

供应商器件封装: D-5B

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTXV1N5551US_二极管整流器

DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B

二极管整流器

+100:

¥197.025838

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500/420

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 9 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,B

供应商器件封装: D-5B

工作温度 - 结: -65°C # 175°C

温度:

JANTXV1N5551US_未分类
JANTXV1N5551US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 5A

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Semtech Corporation

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: MIL-PRF-19500/420

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 3 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 92pF 5V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF

供应商器件封装: -

工作温度 - 结: -

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTXV1N5551US_未分类
JANTXV1N5551US
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 400V 5A

未分类

+100:

¥225.230135

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Semtech Corporation

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: MIL-PRF-19500/420

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 3 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 92pF 5V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF

供应商器件封装: -

工作温度 - 结: -

温度:

JANTXV1N5551US_二极管与整流器
JANTXV1N5551US
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Semtech Corporation

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: MIL-PRF-19500/420

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 3 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 92pF 5V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF

供应商器件封装: -

工作温度 - 结: -

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JANTXV1N5551US_未分类
JANTXV1N5551US
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 400V 3A 2000ns 2-Pin MELF-B

未分类

+500:

¥209.157531

+1000:

¥207.258566

+2000:

¥205.345323

+2500:

¥203.432078

+3000:

¥201.518835

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

JANTXV1N5551US参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/420
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 9 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 400 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,B
供应商器件封装: D-5B
工作温度 - 结: -65°C # 175°C
温度: