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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5802 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 下载数据手册二极管整流器	+1：￥183.665554 +200：￥73.2892 +500：￥70.841491 +1000：￥69.628564	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 10V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： A，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5802 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 下载数据手册二极管整流器	+100：￥128.81451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 10V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： A，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANTX1N5802 Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： Axial Mounting Type： Through Hole Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 25 ns Capacitance @ Vr, F： 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 3.3A Supplier Device Package： Axial Operating Temperature - Junction： -65°C # 175°C Part Status： Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5802 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 下载数据手册未分类	+1：￥150.406842 +100：￥139.627962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 10V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： A，轴向供应商器件封装： - 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANTX1N5802 Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： Axial Mounting Type： Through Hole Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 25 ns Capacitance @ Vr, F： 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 3.3A Supplier Device Package： Axial Operating Temperature - Junction： -65°C # 175°C Part Status： Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 50 V

JANTX1N5802参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/477
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	50 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	875 mV 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	1 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容:	25pF 10V，1MHz
安装类型:	通孔
封装/外壳:	A，轴向
供应商器件封装:	-
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: