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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTXV1N5811US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF 下载数据手册未分类	+1：￥164.099325 +10：￥156.369662 +100：￥141.119145 +500：￥134.747474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTXV1N5811US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF 下载数据手册二极管整流器	+1：￥71.857024 +100：￥66.728846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANTXV1N5811US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	D MET 6A SFST 150V HRV SM 下载数据手册未分类	+1：￥71.857024 +100：￥66.728846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 5V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF 供应商器件封装： - 工作温度 - 结： - 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTXV1N5811US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF 下载数据手册二极管整流器	+1：￥175.781321 +100：￥163.236439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANTXV1N5811US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 6A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 5V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF 供应商器件封装： - 工作温度 - 结： - 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTXV1N5811US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 6A 下载数据手册未分类	+1：￥185.065089 +25：￥183.904286 +100：￥176.607813 +500：￥172.793747	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 5V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF 供应商器件封装： - 工作温度 - 结： - 温度：
	JANTXV1N5811US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 6A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Semtech Corporation 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/477 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 6A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 5V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF 供应商器件封装： - 工作温度 - 结： - 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTXV1N5811US 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin 下载数据手册未分类	+250：￥238.298652	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

JANTXV1N5811US参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/477
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	150 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	875 mV 4 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 150 V
不同 Vr、F 时电容:	60pF 10V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SQ-MELF，B
供应商器件封装:	B，SQ-MELF
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: