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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JDH2S01FSTPL3_二极管射频
JDH2S01FSTPL3
授权代理品牌

RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC

二极管射频

+1:

¥0.56415

+200:

¥0.218319

+500:

¥0.210647

+1000:

¥0.206856

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

二极管类型: 肖特基 - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 4V

电流 - 最大值: 25 mA

不同 Vr、F 时电容: 0.6pF 0.2V,1MHz

不同 If、F 时电阻: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: 125°C(TJ)

封装/外壳: 2-SMD,扁平引线

供应商器件封装: fSC

温度: 125°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JDH2S01FSTPL3_二极管射频
授权代理品牌

RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC

二极管射频

+10000:

¥0.379922

+30000:

¥0.3728

+50000:

¥0.308687

+250000:

¥0.303938

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

二极管类型: 肖特基 - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 4V

电流 - 最大值: 25 mA

不同 Vr、F 时电容: 0.6pF 0.2V,1MHz

不同 If、F 时电阻: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: 125°C(TJ)

封装/外壳: 2-SMD,扁平引线

供应商器件封装: fSC

温度: 125°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JDH2S01FSTPL3_二极管射频
授权代理品牌

RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC

二极管射频

+10000:

¥0.92939

+30000:

¥0.911966

+50000:

¥0.75513

+250000:

¥0.743513

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

二极管类型: 肖特基 - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 4V

电流 - 最大值: 25 mA

不同 Vr、F 时电容: 0.6pF 0.2V,1MHz

不同 If、F 时电阻: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: 125°C(TJ)

封装/外壳: 2-SMD,扁平引线

供应商器件封装: fSC

温度: 125°C(TJ)

JDH2S01FSTPL3_二极管射频
授权代理品牌

RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC

二极管射频

+1:

¥6.233719

+10:

¥4.646954

+25:

¥4.068919

+100:

¥2.207304

+250:

¥2.195969

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

封装/外壳: 2-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: fSC

JDH2S01FSTPL3_二极管射频
授权代理品牌

RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC

二极管射频

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

封装/外壳: 2-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: fSC

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
JDH2S01FSTPL3_二极管与整流器
JDH2S01FSTPL3
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

二极管类型: 肖特基 - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 4V

电流 - 最大值: 25 mA

不同 Vr、F 时电容: 0.6pF 0.2V,1MHz

不同 If、F 时电阻: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: 125°C(TJ)

封装/外壳: 2-SMD,扁平引线

供应商器件封装: fSC

温度: 125°C(TJ)

JDH2S01FSTPL3参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 最后售卖
二极管类型: 肖特基 - 单
电压 - 峰值反向(最大值): 4V
电流 - 最大值: 25 mA
不同 Vr、F 时电容: 0.6pF 0.2V,1MHz
不同 If、F 时电阻: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: 125°C(TJ)
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商器件封装: fSC
温度: 125°C(TJ)