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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.292986 +10：￥8.749026 +30：￥7.205066 +100：￥6.433086 +500：￥5.918473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥15.922412 +10：￥12.571983 +30：￥6.753371 +100：￥1.680466	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.9645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥5.03703 +4000：￥4.89313 +6000：￥4.696052 +8000：￥4.611476 +10000：￥4.407807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRLR9343TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR9343TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.555399 +2500：￥2.260598 +7500：￥2.221284 +12500：￥2.162261 +17500：￥2.122948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥3.400289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.524936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥6.176662	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.974349 +10：￥12.497062 +100：￥9.742118 +500：￥8.047363 +1000：￥6.353139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.974349 +10：￥12.497062 +100：￥9.742118 +500：￥8.047363 +1000：￥6.353139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)

IRLR9343TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	79W（Tc）
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-40°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥5.03703 +4000：￥4.89313 +6000：￥4.696052 +8000：￥4.611476 +10000：￥4.407807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRLR9343TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR9343TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.555399 +2500：￥2.260598 +7500：￥2.221284 +12500：￥2.162261 +17500：￥2.122948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR9343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥3.400289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 175°C（TJ）