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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.520283	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.182448 +10：￥6.121632 +30：￥5.10136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.291136 +10：￥5.368153 +30：￥4.911966 +100：￥4.561869 +500：￥4.23299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.91314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.72994 +10：￥5.03492 +100：￥3.859221 +500：￥3.050876 +1000：￥2.440689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.016951 +10：￥12.316747 +100：￥9.440677 +500：￥7.463249 +1000：￥5.970573	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRLU120NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管	+1：￥9.934007 +10：￥8.566046 +100：￥6.725813 +500：￥6.009262 +1000：￥5.243853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLU120NPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥3.79793	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLU120NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	185 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	440 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	48W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）